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用理论告诉你 三极管和MOS管的区别在哪-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2017-09-21 

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在电路设计当中假设我们想要对电流中止控制,那就少不了三极管的帮助。我们俗称的三极管其全称为半导体三极管,它的主要作用就是将微小的信号中止放大。MOS管与三极管有着许多相近的地方,这就使得一些新手不断无法明白两者之间的区别,本篇文章就将为大家引见三极管和MOS管的一些不同。


关于三极管和MOS管的区别,我们简单总结了几句话便当大家理解。

从性质上来说:三极管用电流控制,MOS管属于电压控制。

从本钱上来说:三极管低价,MOS管贵。

关于功耗问题:三极管损耗大。

驱动能力上的的不同:MOS管常用于电源开关以及大电流地方开关电路。


理论上,就是三极管操作便当且价钱低廉,经常用于数字电路的开关控制当中。而MOS管用于高频高速电路,大电流场所,以及对基极或漏极控制电流比较敏感的中央。所以普通来说低本钱场所,普通应用的先思索用三极管,不行的话建议用MOS管。

理论上说电流控制慢,电压控制快这种理解是不对的。要真正理解得了解双极晶体管和mos晶体管的工作方式才干明白。三极管是靠载流子的运动来工作的,以npn管射极跟随器为例,当基极加不加电压时,基区和发射区组成的pn结为阻止多子(基区为空穴,发射区为电子)的扩散运动,在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场(即内建电场),当基极外加正电压的指向为基区指向发射区,当基极外加电压产生的电场大于内建电场时,基区的载流子(电子)才有可能从基区流向发射区,此电压的最小值即pn结的正导游通电压(工程上普通以为0.7v)。


但此时每个pn结的两侧都会有电荷存在,此时假设集电极-发射极加正电压,在电场作用下,发射区的电子往基区运动(理论上都是电子的反方向运动),由于基区宽度很小,电子很容易越过基区抵达集电区,并与此处的PN的空穴复合(靠近集电极),为维持平衡,在正电场的作用下集电区的电子加速外集电极运动,而空穴则为pn结处运动,此过程类似一个雪崩过程。


集电极的电子经过电源回到发射极,这就是晶体管的工作原理。三极管工作时,两个pn结都会感应出电荷,当开关管处于导通状态时,三极管处于饱和状态,假设这时三极管截至,pn结感应的电荷要恢复到平衡状态,这个过程需求时间。而MOS与三极管工作方式不同,没有这个恢复时间,因此可以用作高速开关管。


下面针对一些电路设计当中会呈现的情况,列出了几种MOS管和三级管的选择规律:

(1)MOS管是电压控制元件,而三级管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用MOS管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用三极管。


(2)电力电子技术中提及的单极器件是指只靠一种载流子导电的器件,双极器件是指靠两种载流子导电的器件。MOS管是应用一种多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而三极管是既有多数载流子,也应用少数载流子导电。被称之为双极型器件。


(3)有些MOS管的源极和漏极可以互换运用,栅压也可正可负,灵活性比三极管好。


(4)MOS管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很便当地把很多MOS管集成在一块硅片上,因此MOS管在大范围集成电路中得到了普遍的应用。


(5)MOS管具有较高输入阻抗和低噪声等优点,因而也被普遍应用于各种电子设备中。特别用MOS管做整个电子设备的输入级,可以获得普通三极管很难抵达的性能。


(6)MOS管分红结型和绝缘栅型两大类,其控制原理都是一样的。
本篇文章与众不同的是,并没有用过多的篇幅对MOS管和三极管在概念上的区别进行对比。而是从实践出发,用实际发生的情况和现象来对两者进行区分,比单纯概念性上的讲解更加容易理解并方便记忆



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