盈满彩票开户

深圳市可易亚半导体科技有限公司

国家高新企业

cn en

盈满彩票开户

KND8103A可替代L7805CV1 MOS管中文资料-原厂直销 免费送样-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2018-11-26 

分享到:

L7805CV1主要参数

封装:TO-220-3

电流:15A

电压:30V


L7805CV1产品附件

KND8103A可替代L7805CV1,KND8103A


KND8103A可替代L7805CV1

KND8103A可替代L7805CV1,本文将会有KNX8103A和L7805CV1两个型号的产品附件,KIA半导体10几年一直走品质追求,也一直力争将质量做好最精致完美。KAI半导体雪崩冲击低,且低内阻等优势。


KNX8103A主要参数

电流:30A

电压:30V

漏源极电压:30V

栅源电压:±20V

脉冲漏电流:60A

单脉冲雪崩能:72MJ

雪崩电流:21A

运行结温范围:-55℃至+150℃

贮存温度范围:-55℃至+150℃


MOS管KNX8103A产品特征

1、KIA-8103A是最高性能沟槽N-ch MOSFETs与极端高电池密度,为大部分同步降压变换器提供了优良的RDSON和门电荷KIA30N03B满足RoHS和绿色产品的需求,100%EAS保证全功能可靠性批准。

2、RDS (on)=15m?@VDS=30V

3、先进的高密度槽技术

4、超低门电荷

5、Cdv/dt效应下降

6、100%EAS保证

7、绿色设备可用


主要应用领域

1、用于MB/NB/UMPC/VGA的高频负载同步Buck变换器

2、网络直流电力系统

3、负载开关


MOS管KNX8103A管脚图封装

KND8103A可替代L7805CV1,KND8103A


MOS管KNX8103A产品附件

以下为KNX8103A产品PDF格式的详细资料,查看详情请点击下图。如有需要请联系我们,KIA半导体将会竭诚为您服务!

KND8103A可替代L7805CV1,KND8103A



联系方式:邹先生

联系电话:0755-83888366-8022

手机:18123972950

QQ:2880195519

联系地址:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1


请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号

请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助