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KIA20N50H 20A/500V MOS管原厂-10几年品质追求 免费送样-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2018-11-02 

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MOS管20N50产品特征-KIA20N50H

1、KIA20N50H N沟道增强型硅栅功率MOSFET是专为高功率MOSFET设计的电压,高速功率开关应用,如高效率开关电源等。有源功率因数校正。

2、RDS(on) =0。21?@VGS=10V

3、低门电荷(典型的70纳米)

4、快速切换能力

5、雪崩能量指定

6、改进的dv/dt能力

MOS管20N50产品主要参数-KIA20N50H

产品型号:KIA20N50H

工作方式:20A/500V

漏源极电压:500V

栅源电压:±30V

功能温度:+150℃

贮存温度:-55℃至+150℃

KIA20N50H标准封装

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KIA20N50H电路图

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KIA20N50H产品附件

以下为KIA20N50H产品PDF格式的产品详细资料,查看详情请点击下图。

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